Utveckling av mätteknik inom mikrovågssystem

Kontakteringsfri mätning av S-parametrar och effekt

Det blir allt vanligare att integrera hela mikrovågssystem (sändare och mottagare) på ett enda kretskort eller halvledarchip. Befintlig mikrovågsmätteknik kräver dock att systemen demonteras för att man skall kunna mäta och justera delsystem på ett tillförlitligt sätt, vilket är oförenligt med volymproduktion.

Metod

Det här projektet löser ovanstående mätproblem genom placera en prob ovanför det kretskort vars delsystem man vill mäta. Man får alltså ett kontakteringsfritt mätsystem som inte kräver ingrepp i mätobjektet och heller inte stör dess funktion nämnvärt.

Genom felkorrigering av de signaler som plockas upp av proben beräknas delsystemens elektriska egenskaper reflektionsfaktor och effekt. Sensorerna används tillsammans med en effektmeter, spektrumanalysator, skalär nätanalysator eller vektornätanalysator vilka är vanliga instrument i de flesta mikrovågslab.

Mål

SP behärskar idag den grundläggande tekniken, se [1,2]. Projektet är nu inriktat på utvidga tekniken till höga dielektricitetskonstanter för tillämpning på aluminasubstrat och senare integrerade mikrovågskretsar (MMIC). Dessa byggtekniker ger mindre kretsar och kräver också en krympning av den kontakteringsfria mättekniken.

Referenser

[1] K. Yhland and J. Stenarson, "Noncontacting Measurement of Power in Microstrip Circuits," presented at ARFTG, San Francisco, 2006.

[2] K. Yhland and J. Stenarson,"Noncontacting measurement of reflection coefficient and power in planar circuits up to 40 GHz," presented at 69th ARFTG Conference, Honolulu Hawaii, 2007.